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k3878

K3878 是高压场效应管 Vdss 900V Id 9A Rds 1.0Ω Vgs(th @ 1mA 4V Pd 150W 封装 TO-3P(N)

2sk3878---N沟、D、S带保护二极管;G、S带保护双向二极管 工作电压----900v 连续最大电流---9a 最大脉冲电流---27a 最大输出功率---150w 栅极最大工作电压30v

一、K3878是日产的场效应管,耐压是900V,电流9A,耗散功150W。 二、场效应晶体管的简单介绍: 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide...

可以的。 拓展: 1、场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET-JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管...

K3878是N沟道场效应管,耐压是900V,电流9A,耗散功150W。 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)...

结型场效管的判别 将万用表置于RXlk档,用黑表笔接触假定为栅极G管脚,然后用红表笔分别接触另两个管脚。若阻值均比较小(约5'--10欧),再将红、黑表笔交换测量一次。如阻值均很大,属N沟道管,且黑表接触的管脚为栅极G,说明原先的假定是正确的...

K3878是日产的场效应管,耐压是900V,电流9A,耗散功150W。下面是PDF资料 http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/348413/TOSHIBA/2SK3878_10.html

ak3878是场效应管,管脚排列是:字面向自己,管脚向下,左边是G、中间是D、右边是S。 所有大、中功率场效应管的管脚排列都一样。

不可以完全替代,芯片的容量不同,做大功率管子,最好不要用3878。FQA11N90C3或者同级别的11N90韩国产可以。 敲开来看下你就知道了。如果替代其他的小功率管,那是没问题的。

k3878和k2611都是日产的场效应管,k3878电流是900V,9A,150W,k2611也是900V,9A,150W ,但功能不同,k4207是同种功能只是片子的容量更大了有对称性的板子应最好换一组!

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