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k3878能用什么管来替换

K3878,参数:900v,9a,150w,建议用11N90代替,11A900V

k2611是场效应管,可以用K2645场效应管代换。 K2611的参数:N沟 900V 9A 150W 1.1欧 K2645的参数:N沟 600V 9A 50W 1.2欧 根据这两个管子的参数比较,可以看出,2645可以代替2611。

K2645的参数:N沟 600V 9A 50W 1.2欧 K2611的参数:N沟 900V 9A 150W 1.1欧 根据这两个管子的参数比较,可以看出,2611可以代替2645.没有问题的。 3878没有查到。正常的散热是必须的。

K3116和K2645参数是一样的,K2645的耐压600V触发电压是30V内阻1欧。K2225耐压1200V触发电压20V,他们不能互换。

可以的。 拓展: 1、场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET-JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管...

IRF150是mos管,mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。 可以代换的型号有四种,分别是:AF126...

16N50E场效应管,可以使用使用18N60场管代替; 场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。 由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。 FET 英文为Field Effect Transistor,...

一、K3878是日产的场效应管,耐压是900V,电流9A,耗散功150W。 二、场效应晶体管的简单介绍: 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide...

2sk3878---N沟、D、S带保护二极管;G、S带保护双向二极管 工作电压----900v 连续最大电流---9a 最大脉冲电流---27a 最大输出功率---150w 栅极最大工作电压30v

FQA9N90C可以用2SK3878、2SK2611、2SK2488来代替。 FQA9N90C是Fairchild 的MOSFET ,是9A 900V 的MOS。 FQA9N90C内部结构图如下:

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