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k2645场效应管参数

场效应管参数是:N一M0SFET/耐压600V/电流9A/功率50W/。 可以替换的如下: K2645:600V,1.2Ω,9A,50WK2141:600V,1.1Ω,6A,35WK3326:500V,0.85Ω,10A,40WK1388:30V,0.022Ω,35A,60WK1101:450V,0.5Ω,10A,50W 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(F...

11N60C3的参数是600V, 11A,50W, 0.55Ω ,K2645参数是600V, 9A,50W, 0.75Ω 一般不能代换,小功率场合可以,代换后发热稍大。可以用20N60C3场效应管, 650V 20A 208W 0.19Ω N-FET ,或者STD11NM60N,13NM60,14NM60,,15NM60,21NM60等也可代换。 效...

很遗憾的告诉你,你手头的一个也不能用 K2645:600V,1.2Ω,9A,50W K2141:600V,1.1Ω,6A,35W K3326:500V,0.85Ω,10A,40W K1388:30V,0.022Ω,35A,60W K1101:450V,0.5Ω,10A,50W 可以参照K2645的参数另外去买

场效应管参数是:N一M0SFET/耐压600V/电流9A/功率50W/。 可以替换的如下: K2645:600V,1.2Ω,9A,50WK2141:600V,1.1Ω,6A,35WK3326:500V,0.85Ω,10A,40WK1388:30V,0.022Ω,35A,60WK1101:450V,0.5Ω,10A,50W 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(F...

长虹G2526B彩电IRFIB5N65A场效应管可以用K2645代换。 IRFIB5n65A是场效应管。参数是:N沟、 650V、 5.1A、 0.93欧、 60W 。代换:5N65。 2SK2645的参数是:N沟、 600V 、9A 、0.75Ω、50W。 代换:10N60、K2671。 总之,6N60、8N60、2SK1117、2SK...

可以。具体操作方法: 将指针式万用表拨至“RX1K”档,并电调零。场效应管带字的一面朝着自己,从左到右依次为:G(栅极),D(漏极),S(源极)。先将黑表笔接在 G 极上, 然后红表笔分别触碰 D极和S极,然后再对换表笔,再测,如这两次测得的结...

耐压600v,栅极电压30v,电流6A,峰值电流24A,TO220封装的N沟道增强型MOSFET

1.MOS管栅极与漏、源两极之间绝缘阻值很高,因此在测试过程中G-D、G-S之间均表现出很高的电阻值。而寄生二极管的存在将使D、S两只管脚间表现出正反向阻值差异很大的现象。选择指针万用表的R×1kΩ挡,轮流测试任意两只管脚之间的电阻值。当指针出...

本人没用过,只能提供参数仅供参考J412系硅N沟道场效应管,漏源极击穿电压100V,栅源击穿电压20V,最大支流漏泄电流:16 最大耗散功率:60.漏极直流导通电阻:2.0 最大支流漏泄电流:0.32一般用于差分放大器输出,K2645-01MR系硅N沟道增强型场效。

http://www.1688eric.com/product.aspx?id=405997 2SK2194 500V 15A http://www.1688eric.com/product.aspx?id=405998

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